افت مشخصات ولتاژ-جریانی وریستور به عنوان یک مسئله جدی در برقگیرها مطرح میگردد. قرارگیری وریستور در میدان الکتریکی برای مدت زمان طولانی، منجر به افزایش جریان نشتی و افزایش توان اتلافی در وریستور شده که در نتیجه باعث تخریب وریستور میشود. افزایش جریان نشتی و پیرشدگی وریستور مربوط به نقص ساختاری و توزیع ناحیه بین دانهای میباشد. پدیده احیای وریستور منجر به بازگشت مشخصه وریستور به حالت اولیه شده و درنتیجه وریستور پیر شده بازسازی میگردد. عملیات غوطهوری وریستور تخریب شده، در محلول نانو نیترات بیسموت تحت عملیات حرارتی خاص، منجر به بازسازی وریستور میشود. در این روش وریستور زینتر شده در محلولی از نانو نیترات بیسموت تحت منحنی دمایی خاص به مدت 12 ساعت غوطهور میشود. نتایج نشان میدهند که این پردازش موجب بهبود مشخصه غیرخطی وریستور میگردد. همچنین همه نمونهها پایداری ضریب غیرخطی و کاهش جریان نشتی را نشان میدهند. غلظت بهینه این محلول بین 2.5 تا 3.2 درصد مولی میباشد. در این مقاله ریز ساختار و خواص الکتریکی وریستور غوطهور شده بررسی شده است. این پردازش نشان میدهد که اکسید بیسموت نانو شده از سطح به داخل وریستور نفوذ میکند که تلفات بیسموت را جبران خواهد کرد. درنتیجه پس از انجام عملیات حرارتی خاص، فاز بیسموت تشکیل شده و لایه بین دانهای بازسازی میگردد و مرزهای دانه با فاز گامای اکسید بیسموت پر میشوند.
فهیمه سادات عابدسعیدی_ احسان کوشا
واحد R & D
شرکت برقگیر توس
مشهد
این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید