مقالات

وریستورهای اکسید روی سرامیکهای نیمه رسانا میباشند که دارای خصوصیات الکتریکی غیرخطی هستند که ناشی از مرز دانهها و ریز ساختار وریستوری میباشد. در این مقاله به مطالعه تاثیر دمای زینترینگ بر روی خواص الکتریکی وریستورهای اکسید روی میپردازیم. تغییر دمای زینترینگ منجر به تغییر دانسیته وریستور، حفرههای داخلی و غلظت دهندهها در مرز دانه می-گردد که موجب تاثیر بر روی خواص الکتریکی و مکانیکی وریستور اکسید روی میشود. اکسید بیسموت در دماهای پایینتر از دمای زینترینگ ذوب شده و فاز مایع تشکیل میدهد. سپس اکسیدهای فلزی افزوده شده به وریستور در دانههای اکسید آنتیموان حل شده و فاز اسپینل تشکیل میدهند. ت