وریستورهاي اکسید روي سرامیکهاي نیمه رسانا میباشند که داراي خصوصیات الکتریکی غیرخطی هسـتند کـه ناشـی از مـرز دانهها و ریز ساختار وریستوري آنها است. در این مقاله به مطالعه تأثیر جهت زینترینگ وریستورهاي اکسید روي بر روي خواص الکتریکی آنها میپردازیم. تغییر جهت زینترینگ منجر به تغییر حفرههاي داخلی و غلظت دهندهها در مرز دانه میگردد که موجب بهبـود خـواص الکتریکی و مکانیکی وریستور اکسید روي در قسمت تحتانی آن میشود. قابلیت اطمینان عملکرد وریستورهاي اکسید روي به شدت وابسته به قابلیت جذب انرژي وریستور میباشد. با تغییر جهت زینترینـگ وریستور، قابلیت جذب انرژي آنها به شدت افزایش مییابد. پس از اندازهگیري مشخصات الکتریکی مشاهده میگردد بهتـرین مشخصـات الکتریکی وریستور، مربوط به وریستورهایی با جهت زینترینگ افقی است؛ چراکه وریستور در این حالت به هنگام زینترینگ، کمترین سطح تماس را با نگهدارنده خود دارد.
فهیمه سادات عابدسعیدي
شرکت برقگیر توس
این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید
احسان کوشا
شرکت برقگیر توس
این آدرس ایمیل توسط spambots حفاظت می شود. برای دیدن شما نیاز به جاوا اسکریپت دارید